| කොටස් අංකය : | RN1909FE(TE85L,F) |
|---|---|
| නිෂ්පාදකයා / වෙළඳ නාමය : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| විස්තර : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| රෝහල් තත්ත්වය : | නොමිලේ / RoHS අනුකූල වීම |
| ප්රමාණය කොපමණද | 390171 pcs |
| දත්තපොත | RN1909FE(TE85L,F).pdf |
| Voltage - එක්රැස්කිරීමේදි දෝෂය (Max) | 50V |
| Vce ස Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| ටාන්සිස්ටර් වර්ගය | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| සැපයුම්කාර උපාංගය ඇසුරුම | ES6 |
| මාලාවක් | - |
| ප්රතිරෝධක - එමේටර් පදනම (R2) | 22 kOhms |
| ප්රතිරෝධක - පාදය (R1) | 47 kOhms |
| බලය - මැක්ස් | 100mW |
| ඇසුරුම් කිරීම | Cut Tape (CT) |
| ඇසුරුම / නඩු | SOT-563, SOT-666 |
| වෙනත් නම් | RN1909FE(TE85LF)CT |
| ස්ථාපන වර්ගය | Surface Mount |
| තෙතමනය සංවේදී මට්ටම (MSL) | 1 (Unlimited) |
| නිදහස් තත්ත්වයේ / RoHS තත්ත්වය | Lead free / RoHS Compliant |
| සංඛ්යාතය - සංක්රාන්තිය | 250MHz |
| විස්තරාත්මක සටහන | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC Current Gain (hFE) (මිනි) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| වත්මන් - එකතුකරන්නන් (Max) | 100nA (ICBO) |
| වත්මන් - ඉෙලක්ෙටොනික් (Ic) (මැක්ස්) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
